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三碲化二锑靶材：半导体制造的关键材料
三碲化二锑（Sb₂Te₃）靶材是一种重要的半导体材料，广泛应用于热电转换、相变存储和红外探测等领域。
它的晶体结构属于六方晶系，具有优异的电学和热学性能，使其成为现代电子工业不可或缺的功能材料。
在热电材料领域，三碲化二锑因其较高的热电优值（ZT）备受关注。
它能有效将废热转化为电能，在能源回收和微型制冷系统中发挥重要作用。
材料的载流子迁移率和塞贝克系数直接影响其热电转换效率，而Sb₂Te₃在这两方面表现突出。
相变存储技术是Sb₂Te₃靶材的另一重要应用方向。
其独特的非晶态-晶态快速转变特性，使存储器件具备高速读写和低功耗优势。
相变过程中，材料的电阻率会发生显著变化，这一特性被用于数据存储。
相比传统闪存，基于Sb₂Te₃的相变存储器具有更长的使用寿命和更高的稳定性。
在靶材制备工艺上，通常采用真空热压或磁控溅射法。
制备过程中需严格控制碲锑比例，任何成分偏差都会影响材料的电学性能。
高纯度原料和精确的烧结温度是保证靶材质量的关键因素。
随着半导体行业对高性能材料需求的增长，三碲化二锑靶材的研发持续深入。
未来，通过纳米结构调控和元素掺杂等手段，有望进一步提升其热电性能和存储特性，为新一代电子器件提供更优质的解决方案。
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