产品等级优级品
产地/厂商广东
是否危险化学品否
含量≥99.99
品牌鼎伟新材料
氧化镓的别名是三氧化二镓,氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器
五氧化二铌:化学式Nb2O5,分子量265.81,白色晶体,熔点1460℃,相对密度4.47,相对介电常数35-50,带隙3.4eV。受热至400℃颜色变黄,溶于氢氟酸、热硫酸及碱,不溶于水是稳定的氧化物。其水合物的化学式为Nb2O5· xH2O,受热分解,可溶于、浓盐酸、氢氟酸及强碱, 不溶于水及氨水,在空气中灼烧金属铌或由铌酸脱水可得。
硅原子和氧原子长程有序排列形成晶态二氧化硅,短程有序或长程无序排列形成非晶态二氧化硅。二氧化硅晶体中,硅原子位于正四面体的中心,四个氧原子位于正四面体的四个顶角上,许多个这样的四面体又通过顶角的氧原子相连,每个氧原子为两个四面体共有,即每个氧原子与两个硅原子相结合。二氧化硅的简式是SiO2,但SiO2不代表一个简单分子(仅表示二氧化硅晶体中硅和氧的原子个数之比)。纯净的天然二氧化硅晶体,是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体,常用于制造光学仪器等
LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作,因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉(corundum,一种晶体结构)α-Ga 2 O 3功率器件,GaO 系列,从TO-220中的肖特基势垒二极管(SBD)开始,然后是MOSFET。
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