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东莞市鼎伟新材料有限公司专业生产:镍钒合金靶、高纯铬靶、钛铝靶、铬铝靶、镍铬合金靶、钨钛合金靶材等;公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多知名电子、太阳能企业当中,以较高的性价比,成功发替代了国外进口产品,颇受用户好评。

天津氮化铝靶材规格 氮化镓靶材 规格多样
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产品描述

产地广东 品牌鼎伟新材料 货号陶瓷靶材 品名氮化物靶材 纯度99.9%
【制备或来源】可由钛和氮在1200℃直接反应制得。涂层可由四氯化钛、氮气、氢气混合气体通过气相沉积法形成。二氮化二钛由金属钛在900~1000℃的氮或氨中加热而得。四氮三钛由四氯化钛在1000℃的氨中加热而得
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氮化钛(TiN)是相当稳定的化合物,在高温下不与铁、铬、钙和镁等金属反应,TiN坩埚在CO与N2气氛下也不与酸性渣和碱性渣起作用,因此TiN坩埚是研究钢液与一些元素相互作用的优良容器。TiN在真空中加热失去氮,生成氮含量较低的氮化钛
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利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度,膨胀系数小,导热性好的特性,可以用作高温结构件热交换器材料等。
利用氮化铝陶瓷能耐铁、铝等金属和合金的溶蚀性能,可用作Al、Cu、Ag、Pb等金属熔炼的坩埚和浇铸模具材料
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因为GaN是宽禁带半导体,极性太大,则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触,这是GaN器件制造中的一个难题,故GaN器件性能的好坏往往与欧姆接触的制作结果有关。现在比较好的一种解决办法就是采用异质结,首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些,然后再采用高掺杂来实现欧姆接触,但这种工艺较复杂。总之,欧姆接触是GaN器件制造中需要很好解决的一个主要问题。
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Development, design, production and sales in one of the manufacturing enterprises

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