产品等级优级品
产地/厂商广东
是否危险化学品否
含量≥99.99
品牌鼎伟新材料
Ga2O3能与氟气反应,生成GaF3,Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于,也不溶于强碱的水溶液中,只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时,Ga2O3与石英反应形成玻璃体,但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。
氧化镓是一种新兴的功率半导体材料,其带隙大于硅,氮化镓和碳化硅,但在成为电力电子产品的主要参与者之前,仍需要开展更多的研发和推进工作
LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作,因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉(corundum,一种晶体结构)α-Ga 2 O 3功率器件,GaO 系列,从TO-220中的肖特基势垒二极管(SBD)开始,然后是MOSFET。
氧化镓的别名是三氧化二镓,氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器
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