热门搜索:

东莞市鼎伟新材料有限公司专业生产:镍钒合金靶、高纯铬靶、钛铝靶、铬铝靶、镍铬合金靶、钨钛合金靶材等;公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多知名电子、太阳能企业当中,以较高的性价比,成功发替代了国外进口产品,颇受用户好评。

长春氮化铝靶材规格 氮化铜靶材 库存充足
  • 长春氮化铝靶材规格 氮化铜靶材 库存充足
  • 长春氮化铝靶材规格 氮化铜靶材 库存充足
  • 长春氮化铝靶材规格 氮化铜靶材 库存充足

产品描述

产地广东 品牌鼎伟新材料 货号陶瓷靶材 品名氮化物靶材 纯度99.9%
aN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料,GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后,InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前,Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段,从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入,GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化,现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列
长春氮化铝靶材规格
氮化铝靶材,共价键化合物,是原子晶体,属类金刚石氮化物、六方晶系,纤锌矿型的晶体结构,无毒,呈白色或灰白色
长春氮化铝靶材规格
新型电子器件
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。
长春氮化铝靶材规格
在探测器方面,已研制出GaN紫外探测器,波长为369nm,其响应速度与Si探测器不相上下。但这方面的研究还处于起步阶段。GaN探测器将在火焰探测、预警等方面有重要应用。
http://www.bacai586.com
产品推荐

Development, design, production and sales in one of the manufacturing enterprises

您是第839428位访客
版权所有 ©2024-05-21 粤ICP备15045043号-6

东莞市鼎伟新材料有限公司 保留所有权利.

技术支持: 八方资源网 免责声明 管理员入口 网站地图